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Un paso más en el camino hacia los ordenadores cuánticos
La interacción entre la materia y la luz es uno de los procesos más fundamentales de la física. Ya sea un coche que se calienta como un horno en el verano debido a la absorción de cuantos de luz o las células solares que extraer electricidad de la luz o diodos emisores de luz que convierten la electricidad en luz, nos encontramos con los efectos de estos procesos en nuestra vida diaria. La comprensión de las interacciones entre las partículas individuales de luz – fotones – y los átomos es fundamental para el desarrollo de un ordenador cuántico.
Físicos de Walther-Meissner-Institute for Low Temperature Research de la Bavarian Academy of Sciences (WMI) y Augsburg University, en colaboración con investigadores de España, han realizado una interacción ultrafuerte entre los fotones a frecuencias de microondas y los átomos de un circuito de nano-estructura. La interacción es diez veces más fuerte que los niveles alcanzados anteriormente para tales sistemas.
El sistema más simple para investigar las interacciones entre la luz y la materia es una cavidad resonante con una partícula de luz y un átomo capturado en el interior (cavidad electrodinámica cuántica, cavidad QED). Sin embargo, dado que la interacción es muy débil, estos experimentos son muy elaborados. Una interacción mucho más fuerte se puede obtener con circuitos nano-estructurados en los que metales como el aluminio se vuelven superconductores a temperaturas justo por encima del cero absoluto (circuito QED). Correctamente configurado, los miles de millones de átomos en los conductores de espesor simplemente del orden de nanómetros se comportan como un solo átomo artificial y obedecer las leyes de la mecánica cuántica. En el caso más simple, se obtiene un sistema con dos estados de energía, llamado qubit o bit cuántico.
El acoplamiento de este tipo de sistemas con resonadores de microondas ha abierto un dominio creciente de investigación en TUM Physics, el WMI y el cluster of excellence Nanosystems Initiative Munich (NIM) están liderando este campo. En contraste con los sistemas de cavidad QED, los investigadores pueden personalizar la circuitería en muchas áreas.
Para facilitar las mediciones, el profesor Gross y su equipo capturó el fotón en una caja especial, un resonador. Consiste en la realización de una ruta de superconductor de niobio que se configura con «espejos» con gran poder de reflexión para microondas en ambos extremos. En este resonador, el átomo artificial hecho de un circuito de aluminio se coloca de modo que pueda interactuar de manera adecuada con el fotón.Los investigadores lograron interacciones ultrafuertes mediante la adición de otro componente superconductor en su circuito, una unión llamada de Josephson.
La fuerza de interacción medida es hasta el doce por ciento de la frecuencia del resonador. Esto hace que sea diez veces más potentes que los efectos anteriormente medibles en los sistemas del circuito QED y miles de veces más fuerte que en una cavidad resonante verdadera. Sin embargo, junto con su éxito los investigadores también crearon un nuevo problema: hasta ahora, la teoría de Jaynes-Cummings desarrollada en 1963 fue capaz de describirmuy bien todos los efectos observados. Sin embargo, no parece aplicarse al ámbito de interacciones ultrafuertes. «La visualización de los espectros son como de un tipo completamente nuevo de objeto», dice el profesor Gross. «El acoplamiento es tan fuerte que los pares de fotón-átomo deben ser vistos como una nueva unidad, un tipo de molécula que incluye un átomo y un fotón».
Físicos teóricos y experimentales necesitarán algún tiempo para examinarlo más de cerca. Sin embargo, los nuevos avances experimentales en este dominio ya están proporcionando a los investigadores toda una serie de nuevas opciones de experimentación. La manipulación selectiva de estos pares de fotón-átomo podría ser la clave para el procesamiento de información cuántica basada en los ordenadores cuánticos que sería muy superior a las computadoras de hoy.
Fuente: EurekAlert!
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Pixeles de color oleosos permitirán ver vídeos en tinta electrónica
Manipulando rápidamente aceites de colores y sobreponiéndolos unos sobre otros, una nueva técnica de electrohumedecimiento (ElectroWetting) podría llevar al desarrollo de dispositivos de tinta electrónica que puedan producir videos en color de alta resolución. Los dispositivosque utilizan el efecto EW podrían tener varias ventajas sobre los e-readers actuales y otros dispositivos de pantalla plana portátiles, la mayoría de los cuales están basados en tecnología electroforética (EPh).
El Dr. Han You y el profesor Andrew Steckl del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Cincinnati han probado de forma experimental el nuevo dispositivo por primera vez y los resultados se publicaron en un reciente número de la revista Applied Physics Letters.
Las nuevas pantallas EW consisten en pilas verticales de varias capas. Tres capas de aceites rojos, verdes y azules están separadas por dos capas intermedias de agua. Estas capas, junto con otras capas hidrófilas y otras hidrófobas forman una especie de bocadillo con los electrodos. Las capas de aceite coloreado también están divididas en filas alineadas para crear píxeles separados. Los investigadores construyeron dos prototipos de 1000-2000 píxeles, con tamaños de píxel de 200×600 µm2 y 300×900 µm2.
Esquema del mecanismo (ver vídeo). Liquavista.
Para cambiar el color de la pantalla, se aplica una baja tensión a la capa de agua que toca a una de las capas de aceite coloreado, lo que produce el efecto EW. El efecto provoca que el aceite se mueva a un lado y sea reemplazado por agua, lo que permite que el aceite coloreado de debajo pase a ser visible. También se puede crear un fondo blanco aplicando tensión a las tres capas de la pila.
Utilizando una cámara de alta velocidad de 1000 frames por segundo, los investigadores pudieron medir la velocidad de los prototipos. Vieron que se tardaba 10 milisegundos en dejar visible un área de 200×600 µm2. La velocidad de cambio permite que se pueda dar soporte a vídeos, de forma similar a otras pantallas EW y de una forma mucho más rápida que los dispositivos EPh (que tardan 1 segundo). Como Steckl explicó, la pantalla de pila vertical también ofrece una alta resolución y pixeles más pequeños y brillantes en comparación con otros dispositivos.
“Hemos demostrado que la integración vertical (el enfoque de “pila”) de los píxeles EW puede funcionar”, dijo Steckl a Physorg. “Esto ahorra espacio, lo que permite el desarrollo de píxeles más pequeños y una resolución mayor. Por comparación, el enfoque lado a lado convencional utiliza sub-pixeles paralelos para cada color, por tanto el área es tres veces mayor. También, cada pixel necesita un filtro que produzca el color deseado, lo que resulta en una pérdida de brillo y un mayor coste. Sorprendentemente, nuestros resultados iniciales publicados en el artículo también mostraron que los píxeles integrados verticalmente tienen aproximadamente la misma velocidad de cambio que los píxeles EW convencionales”.
Además de las grandes velocidades, las pantallas reflectoras EW son mucho más finos, consumen menos energía y tienen un ángulo más amplio que los EPh. Los investigadores creen que, con estas ventajas y su alta resolución, la estructura de pila vertical ofrece gran potencial para una gran variedad de futuros lectores electrónicos y aplicaciones de panel plano, como comandos táctiles o animaciones.
“Estamos trabajando duro para mejorar el funcionamiento: mejores colores, mayor velocidad, etc.” dijo Steckl. “Creo que los lectores digitales con alta velocidad de vídeo, mucho color y bajo consumo están aún un poco lejos”.
Más información: H. You and A. J. Steckl. “Three-color electrowetting display device for electronic paper.” Applied Physics Letters 97, 023514 (2010).
Vídeo: http://www.liquavista.com/downloads/lqvOverviewPresentation.aspx
Este artículo ha sido traducido de Physorg y publicado bajo licencia CC by-sa
Fuente: Ciencia Traducida
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– Apuntes Informática Aplicada al Trabajo Social. UMU. Introducción hardware
Nanocircuitos flexibles se pueden generar con calor
El silicio sigue siendo el material de elección para los «chips» de ordenador, pero las propiedades electrónicas que lo hacen tan atractivo comienzan a desvanecerse al precisar reducir sus dimensiones muy por debajo de unos pocos cientos de nanometro. El grafeno, sin embargo – una hoja de dos dimensiones de los átomos de carbono dispuestos en una nido de abeja-red como – sigue llevando a cabo sus funciones con escasa pérdida de calor en menores dimensiones, que le hace un candidato probable para suceder a la microelectrónica de silicio.
Pero no es suficiente para que el grafeno conducir bien la electricidad, sino que también debe ser semiconductor. El corte del grafeno en «nanoribbons», cada uno tan sólo 10 nanómetros de ancho, lo hace posible. En 2007, dichos nanoribbons fueron usados para transistores de garfeno eficaces. Cortar grafeno en nanoribbons de una anchura estándar es difícil usando métodos químicos convencionales, y también incluso con alternativas creativas – tales como cortar los nanotubos de carbono a lo largo y entonces desenrrolarlos – puede ser difícil de controlar.
Ahora Paul Sheehan de la US Naval Research Laboratory en Washington DC (EE.UU.) y Elisa Riedo del Georgia Institute of Technology en Atlanta han desarrollado una alternativa al corte: «escriben» nanoribbons directamente sobre las láminas de carbono.
Líneas calientes
Sheehan y Riedo comenzaron con una hoja de óxido de grafeno – un aislante eléctrico – en lugar de grafeno. Se calienta la punta de un pequeño dispositivo utilizado para microsocopía de fuerza atómica (AFM) a temperaturas entre 100 y 1000 ° C, entonces se movió sobre la superficie de óxido de grafeno. La punta caliente proporcionan suficiente energía para liberar a la mayoría de los átomos de oxígeno de la red, dejando rastros de grafeno casi puro en su estela.
«Usted acaba de escribir su línea», dice Sheehan. » «Es el dibujo.»
Las líneas de 12 nanómetros de ancho es hasta 10000 veces más conductora que el óxido de grafeno que la rodea, lo que les permite actuar como «cables» eléctricos. Las impurezas de oxígeno todavía permanecen conectadas a las líneas de los «cables «para semiconductores a pesar de ser ligeramente más anchos que el límite de semiconductores de grafeno puro.
Riedo dice que la técnica no sólo aporta un mayor control sobre la posición y las propiedades de nanoribbons, sino que también es relativamente fácil y barata de ejecutar. «Esto es algo que usted puede hacer en el aire con un AFM estándar», dice.
Sheehan dice que la facilidad y control que ofrece la técnica de óxido de grafeno podría hacerle un buen material para prototipos de nanocircuitos, llamándola «placa universal » para la nanoelectrónica.
Yanwu Zhu de la Universidad de Texas en Austin, quien no estuvo involucrado con la investigación, afirma que la nueva técnica podría ser útil y se suma al creciente número de maneras de crear y manipular nanoribbons de grafeno.
Referencia de la publicación: Science, DOI: 10.1126/science.1188119
Fuente: NewScientist
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Nanotubos de carbono como material para transistores
Investigadores suizos han desarrollado un transistor cuyo elemento crucial es un nanotubo de carbono, suspendido entre dos contactos, con excelentes propiedades electrónicas. Un enfoque novedoso de fabricación permitió a los científicos construir un transistor sin histéresis de puerta. Esto abre nuevas vías para la fabricación de nanosensores y componentes que consumen poca energía.
Los límites de la microtecnología convencional, basada principalmente en el silicio, se han alcanzado. Más pequeño y mejor sólo puede lograrse mediante el uso de nuevos materiales y tecnologías. Esta es la razón por la que los investigadores esperna grandes hechos de los nanotubos de carbono (CNT), túbulos ultrapequeño de unos pocos nanómetros de diámetro, hechos de carbón puro.
CNTs tienen propiedades electrónicas, estructurales y mecánicas llamativos. El grupo de investigación liderado por Christofer Hierold, profesor de la Micro y nanosistemas en la ETH de Zurich, tiene como objetivo utilizar estos componentes en la nanoelectrónica. Él y su grupo de investigación, en particular, el estudiante de doctorado Matthias Muoth, han tenido éxito en la construcción de un transistor de efecto campo libre de histéresis basado en un CNT con nanocontactos . Los investigadores lo publicaron recientemente en «Nature Nanotechnology».
Para construir el transistor, los investigadores permitieron crecer a un solo CNT entre dos barras de policisilico . Para un buen contacto eléctrico, se ha de depositar el vapor del metal paladio en los extremos del túbulo de una manera muy precisa. Los científicos incluyeron una tapa deslizante, la máscara de sombra, para proteger a la parte media de los CNT de la metalización no deseada. Un sustrato de silicio, recubierto de metal y colocado tres micrometros por debajo del CNT, actuó como control del terminal llamado puerta.
La fabricación exitosa del transistor con el CNT y la interacción precisa de sus extremos con paladio no son los únicos aspectos decisivos para Christofer Hierold. Considera que el avance es el hecho de que el transistor no muestra lo que se llama histéresis de puerta. La histéresis está ausente incluso a una humedad atmosférica del 45 por ciento. Se refiere a esto como «un importante paso adelante para los componentes destinados a ser utilizados como sensores.»
La histéresis representa las propiedades no deseadas de un sistema electrónico. Por ejemplo, si el voltaje en la puerta de control del transistor se incrementa y luego se reduce de nuevo, no puede haber un cambio no deseado en el umbral de tensión del transistor. Las propiedades del transistor en un punto de trabajo a continuación, dependerán de su historia, por ejemplo, a las tensiones de puerta que ha sido previamente expuestos. These undesired shifts in the threshold voltage also originate from charges that can be trapped on defects in the CNT or in oxides in their vicinity. Estos cambios no deseados en el umbral de voltaje también se originan de las cargas que pueden ser atrapados en los defectos del CNT o de los óxidos cercanos.
El nuevo componente abre posibilidades interesantes de aplicación para sensores y otros componentes nano-electromecánicos. Por ejemplo podría ser el transistor utilizado en sensores de gas altamente sensibles o medidores de tensión, y también en un arreglo resonador como una nanobalanza. Los transistores CNT también podrían ser muy útiles como filtros para recibir la frecuencia correcta en teléfonos móviles, ya que son más pequeños y consumen menos energía que los filtros de frecuencia convencional. Esto implica la utilización de excitaciones electromecánicas para causar a un CNT, con una frecuencia característica, que vibre como una cuerda de guitarra. Las frecuencias restantes, por el contrario, no son capaces de excitar a los nanotubos. Según el profesor de la ETH, «es de esperar que tales filtros nano-electromecánicos serán mejores que los puramente electrónicos.» Él dice que, en cualquier caso, una gran ventaja de los nuevos componentes es su baja demanda energética.
Artículo compelto en: PHYSORG.COM
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Investigadores utilizan presiones muy altas para crear superbaterías
Con presiones muy altas similares a las que se encuentran en las profundidades de la Tierra o en un planeta gigante, investigadores de la «Washington State University» han creado un material compacto, nunca antes visto capaz de almacenar grandes cantidades de energía.
«Si lo piensas bien, es la forma más condensada de almacenamiento de energía aparte de la energía nuclear», dijo Choong-Shik Yoo, profesor de química en WSU y autor principal de los resultados publicados en la revista Nature Chemistry.
La investigación es en ciencia básica, pero Yoo dice que demuestra que es posible almacenar energía mecánica en la energía química de un material con tales enlaces químicos fuertes. Las posibles aplicaciones futuras incluyen la creación de una nueva clase de materiales energéticos y combustibles, dispositivos de almacenamiento de energía, materiales super-oxidantes para la destrucción de agentes químicos y biológicos, y superconductores de alta temperatura.
Los investigadores crearon el material en el campus de Pullman con yunques en una celda de diamante, capaz de producir presiones extremadamente altas en un espacio pequeño. La celda contiene difluoruro de xenón (XeF2), un cristal blanco que se utiliza para grabar los conductores de silicio, entre dos yunques de diamante.
A presión atmosférica normal, las moléculas del material se mantienen relativamente distantes unas de otras. Pero a medida que los investigadores aumentaron la presión dentro de la cámara, el material se convirtió en un semiconductor de dos dimensiones, como el grafito. Los investigadores finalmente aumentaron la presión a más de un millón de atmósferas, comparable con lo que se encuentra a medio camino del centro de la tierra. Todo esto «apretando», como lo llama Yoo, obligó a las moléculas a cambiar su estructura de enlaces . » En el proceso, la gran cantidad de energía mecánica de la compresión se almacena como energía química en los enlaces de las moléculas.
El apoyo financiero a esta investigación provino del U.S. Department of Defense’s Defense Threat Reduction Agency and the National Science Foundation.
Fuente: EurekAlert¡
La marca CE puede tener otro significado
Si ve una marca CE (un acrónimo de «Conformidad Europea») en cualquier aparato electrónico (incluidos los juguetes y productos sanitarios), es básicamente una garantía del fabricante de que el producto cumple todos los requisitos de seguridad de la Unión Europea.
Es obligatorio para los fabricantes para satisfacer todos los requisitos de la marca CE antes de que puedan vender sus productos en cualquiera de los países de la Unión Europea.
Algunas marcas CE en productos electrónicos pueden ser falsas
En algunos casos, la marca CE está mal y por lo tanto no todos los productos que lleven las letras C y E puede ser considerados seguros. Hay informes sin confirmar de que algunos productos hechos en China llevan la marca CE pero en este caso CE significa «China Export» (es decir, el producto se exporta desde China) y no «Conformidad Europea».
Afortunadamente, el estilo de letra y el espaciado entre las dos letras en el logo «Exportación de China» es un poco diferente por lo que no es difícil de percibir la marca CE falsa. Las letras de la marca CE originales son como dos semicírculos de radio similar pero más grande y cuadrado, cuando se dibuja por completo, se reúnen entre sí.
Fuente: digital inspiration
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Enlaces relacionados:
– Apuntes Informática Aplicada a la Gestión Pública. UMU. Capitulo 12 Calidad
– Apuntes Introducción a la Informática. Capítulo 6. UMU. Periféricos de un ordenador
– Fuentes de alimentación, para PC. Homologadas y compatibilidad electromagnética
Logran fabricar un transistor óptico compuesto por un solo átomo
Hace una década, Lene Vestergaard Hau logró reducir la velocidad de la luz en un medio a sólo 61 km/h gracias al fenómeno de la transparencia inducida electromagnéticamente (EIT) en un estado condensado de Bose-Einstein (BEC). Ahora, Martin Mücke y sus colegas del Instituto de Óptica Cuántica del Max Planck han fabricado un transistor con un solo átomo encerrado en una cavidad óptica gracias a la EIT. Un único átomo de rubidio actúa como un transistor al permitir o no el paso de la luz a través de una cavidad óptica (formada por dos espejos separados medio milímetro). El sistema funciona gracias a la amplificación de un efecto óptico no lineal (efecto Kerr) inducida por la electrodinámica cuántica (QED) en régimen de acoplamiento fuerte. Los investigadores también han logrado atrapar, uno a uno, hasta 5 átomos de rubidio en la misma cavidad lo que les permite estudiar los efectos de la interacción entre la luz y la materia en sistemas de muy pocos átomos en estados de superposición en el espacio de Fock. Por ahora este nuevo transistor óptico es muy lento (funciona a una frecuencia de 25 Hz, que hay que comparar con los 2 GHz de un procesador Intel) y muy grande (0’5 mm. es un número enorme comparado con las decenas de nanómetros de los transistores actuales). Sin embargo, los avances en óptica no lineal integrada seguramente permitirán reducir su tamaño y aumentar su frecuencia de funcionamiento en muchos órdenes de magnitud en los próximos lustros. Además, este nuevo transistor parece prometedor para el desarrollo de ordenadores cuánticos completamente ópticos (gracias al uso de muchas cavidades ópticas acopladas entre sí). Un gran avance que nos cuenta Scott Parkins, “Quantum optics: Single-atom transistor for light,” Nature 465: 699–700, 10 June 2010, haciéndose eco del artículo técnico de Martin Mücke et al., “Electromagnetically induced transparency with single atoms in a cavity,” Nature 465: 755–758, 10 June 2010 (por cierto, tenía pendiente esta noticia desde que se publicó online el 12 de mayo). Los interesados en los detalles técnicos deben saber que el artículo está disponible gratis en ArXiv, y que también deben leer el artículo muy relacionado de Tobias Kampschulte et al., “Optical control of the refractive index of a single atom,” ArXiv, Submitted on 29 Apr 2010. Muchos medios se hicieron eco de la noticia de prensa del propio Max Planck Institute of Quantum Optics, “Optical quantum transistor using single atoms. Physicists at MPQ control the optical properties of a single atom!,” 13 May 2010, como “Optical Quantum Transistor Using Single Atoms,” ScienceDaily, May 16, 2010. El preprint en ArXiv también tuvo cierta repercusión, como en Hamish Johnston, “Single atoms go transparent,” physicsworld.com, Apr 21, 2010.
Noticia completa en: Francis (th)E mule Science’s News
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Avances hacia el almacenamiento ultrarrápido de información en soporte magnético
Publicado por emulenews en 26 Mayo 2010
El almacenamiento ultrarrápido de información en soporte magnético requiere el uso de pulsos ópticos ultracortos. El efecto de dichos pulsos sobre los electrones en movimiento responsables del magnetismo es poco conocido. Se publica en Nature un artículo que estudia dicho efecto, que destaco aquí porque entre cuyos autores se encuentra el joven español Víctor López Flores, que desarrolló su tesis doctoral en el Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla, actualmente postdoc en el Instituto de Física y Química de Materiales de Estrasburgo, Francia. El magnetismo es producido por los electrones en movimiento en un sólido. El momento magnético tiene dos componentes, el momento orbital y el momento de espín, que son intercambiables en escalas de tiempo de los femtosegundos. El nuevo artículo de Víctor, cuyo primer autor es Christine Boeglin, utiliza pulsos de luz ultracortos para modificar el momento orbital de los electrones en un material megnético y observar gracias a pulsos de rayos X, cómo dicho momento se transfiere al espín. Un gran avance que posibilitará el desarrollo de sistemas de almacenamiento magnético de información ultrarrápidos. El artículo técnico es C. Boeglin et al., “Distinguishing the ultrafast dynamics of spin and orbital moments in solids,” Nature 465: 458–461, 27 May 2010.
Un partícula cuántica aislada, como un electrón, posee dos momentos magnéticos diferentes, el orbital (L) y el de espín (S), que pueden intercambiar su estado entre sí, siempre y cuando se conserve el momento magnético total. Para electrones moviéndose a velocidades relativistas en un sólido ambas componentes del momento magnético se entrelazan de tal forma que a escalas de femtosegundos es muy difícil separar sus efectos. Boeglin et al. han estudiado películas ferromagnéticas delgadas excitadas con pulsos ópticos ultracortos en el régimen de los femtosegundos. Gracias el uso de pulsos de rayos X polarizados circularmente (generados en el Sincrotrón de tercera generación BESSY, sito en Berlín, Alemania), también en el régimen de los femtosegundos, han sido capaces de estudiar de forma separada ambas componentes del momento magnético, revelando por primera vez cómo se transfiere momento entre L y S en respuesta a los pulsos incidentes. Su análisis permite entender la desmagnetización inducida por pulsos láser ultrarrápidos, de gran interés para el futuro desarrollo de las tecnologías de almacenamiento magnético de información.
La relatividad de Einstein manejea el GPS mejor que las leyes de Newton
La teoría de la relatividad de Einstein, que tiene que ver con la gravedad, podría utilizarse para mejorar los sistemas de navegación global en el futuro. Un equipo de la Agencia Espacial Europea (ESA) y la Universidad de Ljubljana ha desarrollado un sistema basado en esta posibilidad.
Los sistemas de navegación por satélite, como Galileo y GPS, emplean la trigonometría newtoniana para determinar las posiciones, utilizando las estaciones en Tierra como puntos de referencia. Este enfoque sería ideal si todos los satélites y el receptor estuvieran en reposo y lejos de la Tierra. Pero si se introducen correcciones relativistas a la teoría newtoniana, un usuario en la Tierra podría registrar correcciones de hasta 12 kilómetros en un día.
Una forma sencilla de evitar tener que tratar con los defectos de la teoría newtoniana es cambiar el paradigma. En lugar de modelar el sistema en un marco de Newton y la adición de las correcciones relativistas, el sistema de posicionamiento podría inspirarse directamente en la relatividad general.
Con la inspiración de un artículo publicado por Bartolomé Coll, investigador en Systèmes de Référence Temps-Espace del Observatorio de París, se realizó un estudio para introducir estas coordenadas relativistas para la definición de un marco de referencia mundial que se pueda utilizar para el posicionamiento y la navegación.
Se diseñó un marco de Schwarzschild local (el alemán Karl Schwarzschild formuló la primera solución exacta de las ecuaciones de Einstein, referente a la curvatura de un espacio vacío a consecuencia del campo gravitacional de un cuerpo esférico), basado en las señales de reloj procedentes de cuatro satélites. Posteriormente, se desarrollaron, implementaron y probaron algoritmos para leer las coordenadas del marco de Schwarzschild local del usuario desde las señales de los cuatro satélites.
El marco de referencia nuevo se basa en la dinámica de los satélites en lugar de depender de la ubicación de las estaciones terrestres. Si la constelación de satélites estuviera equipada con comunicaciones entre satélites, cada satélite podría ser un usuario de su sistema de posicionamiento propio.
Los primeros resultados prometen un aumento en la precisión y la estabilidad mediante el nuevo sistema de referencia. La cuestión de si puede evitar la necesidad de marcos de referencia terrestre está aún en estudio.
Entre las futuras aplicaciones de esta investigación, figura una referencia muy estable y precisa en el espacio, que podría ser utilizada para la ciencia espacial y Orbitografía de alta precisión;
También podría utilizarse para la definición de un marco de referencia galáctica para la navegación interplanetaria, utilizando los púlsares como relojes, informa la ESA.
Fuente: Europa Press
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Enlaces de interés:
– Estándares de comunicaciones inalámbricas
– Apuntes Introduccion a la Informática (GAP). Redes y comunicaciones
Un nuevo estudio científico concluye que usar el teléfono móvil no provoca cáncer
Nos lo han dicho por activa y por pasiva, usar el teléfono móvil no provoca ningún tipo de cáncer, pero muchos todavía no se lo creen del todo, máxime cuando hay 4600 millones usuarios de esta tecnología. Un estudio danés con más de 420000 personas no encontró ninguna relación y un nuevo estudio de la colaboración internacional INTERPHONE, que forma parte de la OMS, sobre casi 6000 personas con tumores cerebrales de 13 países, personas que habitualmente usan el teléfono móvil, tampoco la ha encontrado. Se han hecho eco de esta noticia todos los medios, aunque no todos con acierto, como nos cuenta Daniel Cressey, “No link found between mobile phones and cancer. Claims that mobile-phone use causes cancer are shown to be overblown,” Nature News, Published online 17 May 2010. El nuevo artículo técnico, para quienes tengan acceso universitario a las revistas de Oxford Journals, es The INTERPHONE Study Group, “Brain tumour risk in relation to mobile telephone use: results of the INTERPHONE international case–control study,” International Journal of Epidemiology, Advance Access, published on May 17, 2010 [web], que es comentado en la misma revista por Rodolfo Saracci y Jonathan Samet, “Commentary: Call me on my mobile phone…or better not?—a look at the INTERPHONE study results,” IJE,Advance Access published on May 17, 2010 [web].
El estudio, en números, ha considerado 2708 personas con glioma, 2409 con meningioma y 7658 sujetos de control, sin cáncer. Los resultados de un estudio como éste, sobre el efecto del móvil en personas con varios tipos de cáncer cerebral y sin él, son siempre difíciles de interpretar, quizás por ello ha habido malas interpretaciones desde ciertos sectores de la prensa británica. “En resumen, el estudio no ha observado ningún incremento del riesgo de contraer glioma o meningioma debido al uso del teléfono móvil.” ¿Por qué es difícil interpretar este tipo de estudios? Porque si se sesgan los datos, se obtienen resultados extraños, inconsistentes con la conclusión general. Por ejemplo, este estudio también indica que “el uso regular del teléfono fijo decrece el riesgo de contraer cáncer cerebral,” que “el 10% de los participantes, los que usan el teléfono móvil durante al menos 12 horas al día, parece presentar un incremento del riesgo de contraer glioma de un 40%,” y que ”usar el teléfono móvil con regularidad, pero sin excesos, decrece el riesgo de glioma y meningioma en un 20%.” Parecen resultados contradictorios, pero en este tipo de estudios es habitual observar dichas contradicciones. Sólo del estudio global, sin introducir sesgos, pueden extraerse conclusiones fiables. Obviamente, ni usar el teléfono fijo protege contra el cáncer, ni usar el teléfono móvil con regularidad tampoco, ni usar el móvil durante más de 12 horas al día lo provoca (siempre como conclusión de este estudio). Los datos en su conjunto permiten concluir sólo que “usar el teléfono móvil no incrementa del riesgo de contraer glioma o meningioma.”
Permitidme acabar con un exabrupto: El tabaco mata, provoca cáncer. El teléfono móvil mata, en accidentes de tráfico, pero no provoca cáncer.
Fuente: Francis (th)E mule Science’s News
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Enlaces relacionados:
– Actualidad informática: Telefonía móvil celular
– Moulder. Efectos de la telefonía móvil celular
– Derechos del usuario de telecomunicaciones
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