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Los investigadores que trabajan en el National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) de Tsukuba, Japón, han desarrollado un método para la impresión de transistores de película delgada con tecnología de inyección de tinta. El equipo describe el proceso en un artículo publicado en la revista Nature.

Para evitar el problema de autocristalización, inherente a otros procesos de elaboración de transistores mediante inyección de tinta, lo que resulta en la propagación de los defectos, que hace que sea difícil  imprimir de manera uniforme, el equipo escogió en  lugar la utilización de un proceso en dos pasos, en el que un tipo de tinta se rocía primero en un sustrato y es seguido por otro inmediatamente después, directamente en la parte superior del primero, los dos se mezclan, creando un entorno en el que crece un solo cristal nítido y fuerte  y se adhiere al material que está impreso.

La tinta  que se aplica en la primera pasada es  un líquido (dimetilformamida anhidra), que tiene un semiconductor, pero que no es soluble. El segundo se compone de un semiconductor orgánico en un solvente. Después de que el primero se difunde sobre el sustrato, se procede con elsegundo, los dos se mezclan naturalmente, y luego, desde un solo punto en la mezcla, un pequeño cristal empieza a crecer, y sigue creciendo hasta que todo el conjunto de tinta se consume, lo que resulta en una película delgada (de 30 a 200 nm de espesor) de C₈BTBT fijo al sustrato. Después de la impresión del patrón completo,  un nuevo proceso sobre el sustrato, completa el transistor.

Los investigadores están buscando tecnologías de inyección de tinta  para fabricar transistores  con la esperanza de que podría dar lugar a una gran cantidad de productos que se basan en sustratos flexibles, tales como pantallas flexibles, células solares, sensores, o papel electrónico, y porque se ofrecen un menor costo de producción en comparación con los tradicionales productos en base a silicio.

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