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Científicos  de la Universidad de Michigan (EE.UU.)  han encontrado la forma de mejorar el rendimiento de los materiales ferroeléctricos, que potencialmente pueden dar lugar a dispositivos de memoria con más capacidad de almacenamiento que los discos duros magnéticos y  velocidad de escritura superior, junto con una vida útil más larga que la memoria flash.

En la memoria ferroeléctrica la dirección de polarización eléctrica de las moléculas sirve como un 0 o un 1. Un campo eléctrico se utiliza para girar la polarización, que es como se almacenan los datos.

Con sus colegas en la Universidad de Michigan  y colaboradores de la Cornell University, Penn State University, and University of Wisconsin, Madison, Xiaoqing Pan, profesor en el Departamento de Ciencia de los Materiales e Ingeniería, ha diseñado un sistema que espontáneamente  forma nanoespirales de pequeño tamaño de la polarización eléctrica a intervalos controlables, que podrían proporcionar  sitios naturales para la conmutación de la polarización y por lo tanto reducir la energía necesaria para invertir cada bit.

«Para cambiar el estado de una memoria ferroeléctrica, se deberá alimentar con un campo eléctrico suficiente para inducir una pequeña región de cambio en la polarización. Con nuestro material, dicho proceso de nucleación no es necesario», dijo Pan. «Los sitios de nucleación son intrínsecamente las interfaces del material».

Para que esto suceda, los ingenieros situaron capas de un material ferroeléctrico en un aislador cuyas redes cristalinas estaban muy próximas. La polarización da lugar a grandes campos eléctricos en la superficie ferroeléctrica, que son los responsables de la formación espontánea de sitios, conocidos como «vórtices nanodominios «.

Fuente: Universidad de Michigan